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RAM SODIMM DDR4 16 3200 PNY

Réf: PCA096

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Améliorez les performances de votre portable avec 16 Go de RAM PNY DDR4 3200 MHz. Réactivité et fiabilité pour toutes vos tâches.

La mémoire PNY Performance DDR4 SODIMM de 16 Go avec une fréquence de 3200 MHz est conçue pour améliorer les performances de votre ordinateur portable. Idéale pour les utilisateurs de stations de travail, les étudiants et les joueurs, cette mémoire vive permet d'exécuter des applications gourmandes en ressources et de gérer un grand nombre de fenêtres ouvertes simultanément, assurant une réactivité accrue. La technologie DDR4 offre des vitesses plus élevées, une bande passante accrue et une consommation d'énergie réduite par rapport aux générations précédentes. Type de mémoire : DDR4 SDRAM Format : SO DIMM 260 broches Capacité : 16 Go Fréquence : 3200 MHz (PC4-25600) Latence : CL22 Tension : 1.2 V Vérification de l'intégrité des données : Non-ECC Fonctionnalités : Non-buffered Conçue pour une fiabilité éprouvée, chaque module est rigoureusement testé pour garantir des performances stables et fiables dans des environnements informatiques réels.
22 973XPF HT· Prix public
TGC 11.00% +2 52725 500 XPF TTC
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Caractéristiques Techniques

La mémoire PNY Performance DDR4 SODIMM est spécifiquement conçue pour les ordinateurs portables, offrant une capacité de 16 Go avec une vitesse de 3200 MHz. Elle intègre des spécifications clés pour une compatibilité et une performance optimales : Format : SO DIMM 260-pin Type de mémoire : DDR4 SDRAM Vitesse : 3200 MHz (PC4-25600) Latence CAS : CL22 Tension : 1.2 V Type : Non-ECC, Unbuffered

Performances et Fiabilité

PNY s'engage sur la performance et la fiabilité de ses modules mémoire. La gamme Performance DDR4 est engineered et testée pour offrir une stabilité à toute épreuve. Que ce soit pour des applications exigeantes comme le design graphique ou le multitâche intensif, cette mémoire assure une amélioration notable des temps de réponse de votre PC portable.

Caractéristiques techniques

FormatSO DIMM 260 broches
MarquePNY
Tension1.2 V
Capacité16 Go Go
Fréquence3200 MHz
Latence CAS22
Type de mémoireDDR4 SDRAM

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