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SSD LEXAR M2 NVME NQ790 PRO 4To

Réf: PC9868

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SSD NVMe M.2 2280 haute performance de 4 To, avec interface PCIe 4.0 x4, vitesses jusqu’à 7000 Mo/s en lecture et 6000 Mo/s en écriture, idéal pour les PC performants, la création de contenu et le stockage rapide.

SSD NVMe M.2 2280 haute performance de 4 To, avec interface PCIe 4.0 x4, vitesses jusqu’à 7000 Mo/s en lecture et 6000 Mo/s en écriture, idéal pour les PC performants, la création de contenu et le stockage rapide. Description détaillée Le Lexar NQ790 4 To est un SSD interne au format M.2 2280 conçu pour offrir de hautes performances au quotidien. Grâce à son interface PCIe Gen4x4 et au protocole NVMe, il assure une excellente réactivité pour le démarrage du système, le lancement des applications, les transferts de fichiers lourds et les usages intensifs. Cette version 4 To atteint des vitesses séquentielles pouvant aller jusqu’à 7000 Mo/s en lecture et 6000 Mo/s en écriture, avec jusqu’à 800 000 IOPS en lecture aléatoire et 600 000 IOPS en écriture aléatoire. Elle s’adresse parfaitement aux utilisateurs recherchant un stockage rapide et spacieux pour le travail, le gaming ou la production de contenu. Le Lexar NQ790 intègre de la mémoire 3D NAND, pensée pour offrir une bonne fiabilité et une endurance élevée. Le modèle 4 To annonce une endurance de 2400 TBW, un MTBF de 1 500 000 heures et bénéficie d’une garantie limitée de 5 ans. Compact et léger, il mesure 80 x 22 x 2,45 mm pour un poids d’environ 6 g. Il supporte une température de fonctionnement de 0 à 70 °C, résiste aux chocs jusqu’à 1500 G et aux vibrations, ce qui en fait une solution fiable pour une configuration moderne. Caractéristiques techniques Capacité : 4 To Format : M.2 2280 Interface : PCIe 4.0 x4 / NVMe Vitesse de lecture : jusqu’à 7000 Mo/s Vitesse d’écriture : jusqu’à 6000 Mo/s Lecture aléatoire : jusqu’à 800 000 IOPS Écriture aléatoire : jusqu’à 600 000 IOPS Mémoire flash : 3D NAND Endurance : 2400 TBW MTBF : 1 500 000 heures Dimensions : 80 x 22 x 2,45 mm Poids : 6 g Température de fonctionnement : 0 à 70 °C Température de stockage : -40 à 85 °C Résistance aux chocs : 1500 G
76 126XPF HT· Prix public
TGC 11.00% +8 37484 500 XPF TTC
1

Caractéristiques techniques

Capacité4000 Go
Format2280 pouces
Endurance (TBW)2400
Lecture aléatoire 4K800000 IOPS
Écriture aléatoire 4K600000 IOPS
Interface DisquePCIe 4.0 x4
Type de mémoire Flash3D NAND
Protocoles supportésNVMe
Vitesse de lecture séquentielle7000 Mo/s
Vitesse d'écriture séquentielle6000 Mo/s

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